3. SC-2清洗
1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。
2 硅片表面经SC-2液洗后，表面Si大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。
3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。
a.实验表明：
　　据报道将经过SC-2液，洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2，用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。即说明用HF+H2O2液清洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技术中，常使用HF+H2O2来代替DHF清洗。

三.离心喷淋式化学清洗抛光硅片

系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是：
FSI“A”工艺： SPM+APM+DHF+HPM
FSI“B”工艺： SPM+DHF+APM+HPM
FSI“C”工艺： DHF+APM+HPM
RCA工艺： APM+HPM
SPM .Only工艺： SPM
Piranha HF工艺： SPM+HF
上述工艺程序中：
SPM=H2SO4+H2O2 4：1 去有机杂质沾污
DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物，金属沾污
APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1：5
去有机杂质，金属离子，颗粒沾污
HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1：1：6
去金属离子Al、Fe、Ni、Na等
如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅表面的颗粒沾污。