下图所示通过辐射对衬底进行加热，对射频电极的冷却采用水冷方式。这种结构的PECVD系统也被称为快速加热CVD(RapidThermal CVD，RTCVD)。反应室墙壁利用水进行冷却，以免反应物沉积于反应室腔体表面，与LPCVD 相比，沉积相同质量的薄膜，RTCVD所需的反应温度较高，但是反应时间短,在加工过程中利用温度作为反应的控制开关,可以避免长时间的加温和冷却，非常适合单片PECVD工艺使用。

一种单片的PECVD系统示意图

    下图所示为多平板电极PECVD系统示意图。采用石电极，衬底放置在石墨电极之间，在石墨电极之间形成等离子体。衬底采用直立放置形式，可以有效地减少微粒附着形成的微粒污染，石墨组件采用整体装卸方式，操作起来相对烦琐。

多平板电极PECVD系统

   图下所示为一种管式PECVD系统示意图。调节加热器形成温度梯度，可以提高沉积薄膜的均匀度，通过脉冲控制等离子体，使新鲜的反应气体适时充入炉管，并抽去反应后的气体，也可以得到均匀度很高的薄膜。在反应室外加套石英外管，用以确保真空度，这样在清洗时取出内管即可，而且这种结构的PECVD系统比较清洁，不需要经常进行炉管清洗。

管式PECVD系统示意图